碳化硅SiC芯片

碳化硅具备比硅更高的带隙宽度、更高的热导率、更强的电场击穿强度和更高的电子迁移率。这些特性使得碳化硅芯片在高温、高压和高频率下都能表现出卓越的性能，这对于电力电子、汽车、航空航天和许多其他行业来说，具有革命性的意义。

高温稳定性：碳化硅能在高达600℃的温度下稳定工作，而传统硅芯片的工作温度上限一般不超过150℃。 

高效能源转换：在电力电子领域，碳化硅器件能提供更高的效率，减少能量损失，尤其在高压和大电流应用中表现突出。